上海DTSDieTopSystem焊片德国DTS替代

终端应用市场对于率、高功率密度、节能的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。

单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片与lead frame之间的焊料，优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例，基于GVF预烧结银焊片，相比当前焊接版的TO247-3/4L，可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c)，和约45%的瞬态热阻。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类，二者集成为功率模块（包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块）。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高，当前的封装材料已经达到了应用极限。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍，并确保芯片的载流容量提高50%以上。

使用了GVF预烧结银焊片使器件结温可以超过200°C。因此，GVF预烧结银焊片可以大幅降低功率限额，或者在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸，从而降低电力成本。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，银，铜表面剪切强度都很大。