出售IPP60R180C7和IPS70R600CE和CSD18504Q5A分立半导体

深圳市明佳达电子公司现货供应 IPP60R180C7 和 IPS70R600CE 和 CSD18504Q5A 晶体管 全新 原装货源 质量 价格实在 库存货源充足 有兴趣的商友 欢迎来电和我们联系


一、IPP60R180C7 ：
FET 类型 N 沟道
漏源电压（Vdss） 600V
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 260µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1080pF @ 400V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 180 毫欧 @ 5.3A，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 24nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
功率耗散（大值） 68W（Tc）
安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3-1



二、IPS70R600CE ：
FET 类型 N 沟道
漏源电压（Vdss） 700V
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.5A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 22nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 600毫欧 @ 1A，10V
功率耗散（大值） 86W（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3.5V @ 0.21mA
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 474pF @ 100V
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
FET 功能 超级结
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak
供应商器件封装 PG-TO251-3



三、CSD18504Q5A ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Ta），50A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 6.6 毫欧 @ 17A，10V
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1656pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 3.1W（Ta），77W（Tc）
封装/外壳 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSONP（5x6）


公司还长期供应以下型号：
HD3SS6126RUAR
BME680
ADUM141E1WBRWZ
EW-632
IPS70R600CE
MCIMX257CJN4A
IRLB3036PBF
IDW40G65C5
ISOW7844DWER
CC2530F64RHAR
TPS56720PWPR
SI4762-A42
DSP56303AG100
LM536015QDSXTQ1
CSD18504Q5A
STM8L151F3U6TR
STM32F051K6T6
TPS51611RHBR
IPP60R180C7
LTC1735CGN
CDCLVP110VF
AS5045
AS5600
DAC37J84IAAV
DAC38J82IAAV


以上型号均为深圳市明佳达电子公司长期现货供应产品 网上标价持有不确定性 价格请以当天询问为准 有兴趣的商友 欢迎来电和我们联系 我们将竭诚为您服务！！！