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生长Φ8“直拉硅单晶Φ8”热场研究及数值模拟\随着科学的飞速发展,出于提高生产率、降低成本的目的,器件厂家随着生产规模的扩大逐步要求增大硅片直径。硅单晶直径增大后,大熔硅体积、严重的热对流使单晶氧含量增大。晶体直径的增大也使结晶潜热的散发更加困难,结晶速率难以提高。为了解决这两个问题,本文在国产TDR-80单晶炉的基础上,对热场进行了局部改造,施加了新型加强复合式热屏。有限元法是一种能求得许多工程问题近似解的数值分析方法。由于拉单晶过程中投料量较大,炉体结构复杂、造价昂贵,所以拉晶实验成本太高。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。江南电力光伏科技有限，引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种，具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。