目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能,碳化硅、氮化镓(射频/非射频)模块封装也向着更高的集成度方向发展。
目前,银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术,美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。
与传统的高温无铅钎料相比,AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能,由于银的熔点高达961℃,将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性,且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。
相比焊接模块,加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响,采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍,
目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段,纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比:
连接温度和辅助压力均有明显下降,扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,