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除尘器内的空间由圆柱容器经上、下盖密封形成，整个空间分成两大区域：除尘区域和排气区域。含尘气流由切线进气口进入除尘区域，沿外壁由下而上螺旋形旋转运动。气流作旋转运动时，尘粒在惯性离心力的推动下，要向圆柱容器内壁移动。到达内壁的尘粒在气流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。这种情况，离心力是除尘器的主要作用力，尘粒与气流分离界面是圆柱容器的内壁。还有，圆柱容器内设置内外两层金属网，内层金属网缠绕于内侧的6 根金属杆上。外层金属网缠绕于外侧的8 根金属杆上。这14 根金属杆被固定在上盘和盘上。它们固联于圆柱容器上法兰。圆柱容器设置的排气筒是排气区域。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1、主机部分：机架，双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2、加热器电源：全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IG及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。3、计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面、高像素CCD测径 ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA监控系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。

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整个炉内的一氧化硅与的混合气体(包 括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外，整个炉内不存在排气 不畅的地方，即不存在排气死角，既有效地防止了一氧化硅气体对加热器 和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀，还可使吸附在这些石墨器件上的杂质粉 尘减少30%以上，从而确保了该炉的使用寿命，使所述石墨器件的使用寿 命从原来的90炉次提高11G炉次以上，另外还可对硅晶体的生长过程起 到稳定作用，使平均成品率从原来的65%提高68%以上，并可提高单晶 的内在质量。本发明的气流导向装置的一对通气孔与该炉的 一对排气口相 对设置，缩短了排气管路，利于提高排气效率。