而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。
AS9330半烧结银的 导热系数范围80W/mK-100W/ mK，在银、铜和镍钯金引线框架的封装内电阻更低的热阻（Rth）- 0.4K/W。
半烧结银AS9330可以粘结金、银、铜、镍钯金、引线框架等多种材质，适用∩宽泛的芯片粘结尺寸：从1*1mm2至8*8mm2（Die Size）不等。当然，烧结温度随着芯片尺寸的大小要做适当的调整。
将芯片放到涂有半烧结银AS9330的界面上时，建议加一点压力到上界面压一下； 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度，比如3分钟升高5度等
半烧结银AS9330 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出；烧结银烧结时，要主要烧结温度，烧结时间，烧结压力”铁三角“的调整问题。
善仁新材作为烧结银的者，愿为烧结银和新能源车做出自己应有的贡献，也欢迎客户来电订制各种烧结银产品。