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超大场景显示 显示条件:多张发射卡支持的任意幅度超宽、超大LED显示屏; 信号情况:多路DVI或者RGB、VGA、视频信号、HDSDI信号(选配)。 实现功能:选择其中一路在超大分辨率LED屏体上显示。根据用户的需求,可以采用不同的显示模式,具体为: A.满屏模式 输入的信号通过 LED图像拼接处理器,在整个LED屏体上满屏显示。 如果LED拼接的显示比例与输入信号的比例不一致时,画面将出现自动拉伸或者压缩等变形。该模式往往应用于背景影像内容的显示; B.等比模式 输入的信号通过 LED图像拼接处理器时,根据输入信号的比例格式,等比例在整个LED屏体上。画面等比显示时, LED屏体的上下或者左右会因为没有内容显示而曾现黑色。该模式往往应用于人像显示或者领导讲话的场景内容。 C.全屏等比模式 输入的信号通过LED图像拼接处理器时,根据输入信号的比例以及屏体的显示点阵分布情况,将输入的内容采用像素抓取技术,截取与LED屏体比例一致的显示,在整个LED屏体上放大显示。该模式应用于对现场情景需要展现的内容;

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,个商用二极管产生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。

改变电流可以变色,发光二极管方便地通过化学修饰方法,调整材料的能带结构和带隙,实现红黄绿蓝橙多色发光。如小电流时为红色的LED,随着电流的增加,可以依次变为橙色,黄色,后为绿色。

早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP,发红光(λp=650nm),在驱动电流为20 毫安时,光通量只有千分之几个流明,相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED产生绿光(λp=555nm),黄光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。

GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射,峰值550nm。蓝光 LED基片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有YAG的树脂薄层,约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收,另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合,可以得到得白光。现在,对于InGaN/YAG白色LED,通过改变YAG 荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度,可以获得色温3500-10000K的各色白光。

表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉:即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉,在未来较被看好的是三波长光,即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉,用于封装LED白光,预计三波长白光LED有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小,稳定性要求也高,具体应用方面还在探索之中。

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