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工作原理如下：取出晶棒后，将硅料加入加料坩埚62，盖上外部加料器6的上盖63，将外部加料器6真空抽到合适压力值时打开旋阀64，硅料落入外部化料器7中并在外部化料器7中被熔化，熔化后的硅料流入主炉室坩埚21，当外部化料器7中的硅料加完后，再关闭旋阀64，把外部加料器6充常压，打开外部加料器6的上盖63继续加料，如此循环，进而完成外部加料、化料，本发明可实现连续拉晶，选用合适的主炉室坩埚21可以实现连续拉制五六根晶棒，可大幅减少冷却、拆炉、装炉的时间，进而提高生产效率；本发明可通过加料器升降驱动装置和加料器旋转驱动装置将外部加料器6移出工作位并旋开，进而方便拆炉和清理，本发明的加料器升降驱动装置和加料器旋转驱动装置配上工装还可以吊装主炉室2的零部件；本发明可通过副炉室升降驱动装置12和副炉室旋转驱动装置13驱动副炉室3移动，蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，上虞半导体材料生产设备的设计、制造和调试的股份制企业。通过人才引进，拥有一批高、中级技术型的研发设计人员和经营管理人才，具有自主的产品设计开发能力和相当规模的生产能力。依托浙江大学机械电子控制工程研究所的高科技优势，通过与浙江大学大学科技园杭州慧翔电液技术开发有限合作，共同开发出拥有自主知识产权的ZJS系列TDR80A，TDR80B，TDR8，TDR9型全自动晶体生长炉，并形成批量生产。

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设计与仿真编辑在直拉法生长硅单晶的过程中，硅单晶生长的成功与否以及质量的高低是由热场的温度分布决定的。温度分布合适的热场，不仅硅单晶生长顺利,而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长硅单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资硅单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场,从而保生产出来的硅单晶的品质。在直拉硅单晶生长工艺中,一般采用温度梯度来描述热场的温度分布情况，其中在固液界面处的温度梯度为关键。数值模拟是在一个低成本的情况下,利用电脑计算提供的详尽资料，用以支持真正的（且昂贵）实验。