DTS+TCB焊片国产DTS浙江DTS

DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下，SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高，成为时下火爆的发展领域之一。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类，二者集成为功率模块（包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块）。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高，当前的封装材料已经达到了应用极限。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性，以及芯片连接的可靠性，并对整个模块的性能进行优化，还能帮助客户提高生产率，降低芯片的破损率，加速新一代电力电子模块的上市时间。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以广泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF预烧结银焊片的Diffusion Soldering（扩散焊）技术。简而言之，就是在特定温度和压力条件下，使得SiC芯片的背面金属，与Lead Frame表面金属产生原子的相互扩散，形成可靠的冶金连接，以釜底抽薪之势，一举省去中间焊料，所谓大道至简、惟精惟一，惟GVF预烧结银焊片。一言以蔽之：采用了GVF预烧结银焊片时，降低器件稳态和瞬态热阻，同时提高器件可靠性。

在能源效率新时代，SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开更大的发展空间。