银烧结国产烧结银铜CLIP烧结银

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的导热系数为： 200W/m·K， （激光闪射法）；剪切强度为60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

大面积烧结银的使用要求
1. 使用前回温至室温；
2. 使用前在行星搅拌机中进行 2500rpm/30s 搅拌处理；
3. 框架表面镀金、银，芯片背面镀金、银

大面积烧结银适用芯片尺寸≦8×8mm；
5. 对于芯片尺寸≦4×4mm，湿胶厚度 50-80μm；芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm，湿胶厚度 90-120μm。

大面积烧结银AS9378的样本提供的技术参数仅供参考，它们会随不同的工况条件，如设备类型、材质、工艺条件等改变。
使用产品之前，请仔细阅读材料安全资料，产品及产品使用说明：

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