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MOS管烧结银替代美国烧结银

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目前,银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术,美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。

烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.

目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段,纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比:

下一条:烧结银特点第三代半导体烧结银膏烧结银膏
善仁(浙江)新材料科技有限公司为你提供的“MOS管烧结银替代美国烧结银”详细介绍
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主营:烧结银,纳米银浆,导电银胶,导电油墨
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碳化硅加压烧结银信息

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