艾默生ups不间断电源GXE-20k00TE3102C00三进单出20KVA/18KW

艾默生ups不间断电源 GXE-20k00TE3102C00三进单出高频


其值下降5mV左右。在25℃时，IGBT的开启电压UGE(th)一般为2~6b.输出特性。IGBT的输出特性也称伏安特性，它描述的是以栅射电压UGE为控制变量时集电极电流Ic与集射极间电压UcE之间的关系。IGBT的输出特性如图3-11(b)所示。此特性与GTR的输出特性相似，不同的是控制变量，GBT为栅射电压UGE,而晶体管为基极电流IB。IGBT的输出特性分正向阻断区、有源区和饱和区。当UGE<0时，IGBT为反向阻断工作状态。



由此可见，IGBT由于比MOFET 多了一个J结而获得反向电压阻断能力，IGBT能够承受的高反向阻断电压URM取决于J1结的雪崩击穿电压。当UcE>0而UGE<UGE(h)时，IGBT为正向阻断工作状态。此时J2结处于反偏状态，且MOSFET 的沟道体区内没有形成沟道，IGBT的集电极漏电流IcEs很小。IGBT能够承受的高正向阻断电压UFM取决于J2的雪崩击穿电压。



如果UcE>0而且UGE<UGeh)时，MOSFET 的沟通体区内形成导电沟道，IGBT进入正向导通状态。此时，由于J1结处于正偏状态，P+区将向N基区注入空穴。当正偏压升高时，注入空穴的密度也相应增大，直到超过N基区的多数载流子密度为止。在这种状态工作时，随着栅射电压UGE的升高向N基区提供电子的导电沟道加宽，集电极电流Ic将增大，在正向导通的大部分区域内、Ic





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