上海定做善仁半导体器件低温烧结银服务

近年来，对于小型化、高功能化的电子零器件(例如功率器件或大功率发光二极管(LED))的需求扩大。功率器件作为可抑制电力损耗并率地转换电力的半导体元件，在电动汽车、快速充电器等领域中普及发展。

善仁新材烧结银烧结一般可以分为初期、中期和后期，它们之间没有明显界限。

烧结初期，颗粒在烧结驱动力的作用下会进行一定的重排，增加接触面积，生成烧结颈（necks），烧结初期一直持续到烧结颈的直径达到颗粒直径的0.4~0.5倍。

终阶段时孔洞变得不稳定，相互融合产生更大孔洞。多晶材料中的烧结机理，只有晶界处和烧结颈的缺陷处的体积扩散（volume diffusion）才能产生致密化。

善仁新材开发的烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术，由于比焊料更能耐受高温，具有的散热性，可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合，很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程，因此有生产效率的问题，且加压装置会增加投资成本。

善仁新材开发的AS9375功率器件烧结银胶能适用于无加压的低温烧结，具有使用上的便利性。且即使是在无加压的氮气氛围下进行烧结，亦能发挥的接合强度与导电率。

但是以利用纳米粒子进行烧结接合的金属而言，相较于银，铜较容易变成氧化状态，且使用比表面积较大的纳米粒子，氧化倾向就更为显著，氧化被膜一旦生成，将进而导致接合时的阻碍，也因此氧化被膜的生成提高了铜烧结技术的难度。