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提拉式单晶炉技术参数1、电源电压:380VAC±5%2、电源频率:50HZ 3、电源相数:3相3线制4、变压器容量:190KVA5、加热器加热功率:160KW6、加热温度:1600℃7、加热器加热电压:60V8、冷炉极限真空度:<a9、晶体直径:¢6〞~¢8〞10、熔料量 :90Kg11、主炉室尺寸:φ900×1250mm上炉室尺寸:φ900×900mm下炉室尺寸:φ900×350mm12、翻板阀通径:φ280mm13、封头炉盖高度:410mm14、副炉室尺寸:φ280×250015、籽晶转速范围:1~40rpm16、籽晶拉速范围:0.2~8mm/min17、籽晶快速:≥350mm/min18、籽晶在炉内有效行程:3500mm19、籽晶在副室内有效行程:2100mm20、坩埚升速范围:0.02~1mm/min21、坩埚快速:≥100mm/min22、坩埚在炉内有效行程:400mm23、坩埚转速范围:1~30rpm24、两个电极孔孔距:480mm 25、耗水量:25m3/h26、主机占地面积:2500x2000mm27、主机高度:6800mm28、主机重量:约7500Kg
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上虞半导体材料生产设备的设计、制造和调试的股份制企业。通过人才引进,拥有一批高、中级技术型的研发设计人员和经营管理人才,具有自主的产品设计开发能力和相当规模的生产能力。依托浙江大学机械电子控制工程研究所的高科技优势,通过与浙江大学大学科技园杭州慧翔电液技术开发有限合作,共同开发出拥有自主知识产权的ZJS系列TDR80A,TDR80B,TDR8,TDR9型全自动晶体生长炉,并形成批量生产。分子泵回收,真空泵回收,真空流量计回收,plc编程回收,控制屏回收,离子泵回收,涡轮分子泵回收,螺杆真空泵回收,涡旋高真空泵回收,本文结合某单晶炉产品的研制 ,设计了一种实用的单晶炉提拉速度控制系统 ,并在实际生产中获得成功应用。2 设计的关键图 1示出了单晶炉提拉的工艺过程。提拉控制系统的驱动电机转速 n经减速器、齿轮齿条减速后带动提拉杆上下运动。根据硅单晶生产工艺 ,要求提拉速度 V能在 ( 0 .2~ 1 0 .0 ) mm/h内无级调节 ,它相对于给定信号的线性精度 ± 2 %。经折算后 (见下节式 ( 3) )