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功率管发热
关于这个问题,也见到过有人在论坛发过贴。
功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。
要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象,降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。
对于前者,注意不要将负载电压设置的太高,虽然负载电压高,效率会高点。
对于后者,可以尝试以下几个方面:
a、将小电流设置的再小点;
b、布线干净点,特别是sense这个关键路径;
c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感;
d、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的一致性不好,偏差有点大,不过对于照明来说应该够了。
无论如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。

相同的驱动电路,用a生产的电感没有问题,用b生产的电感电流就变小了。
遇到这种情况,要看看电感电流波形。
有的工程师没有注意到这个现象,直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流,这样做可能会严重影响LED的使用寿命。
所以说,在设计前,合理的计算是的,如果理论计算的参数和调试参数差的有点远,要考虑是否降频和变压器是否饱和。
变压器饱和时,L会变小,导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升,那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下,只能看着光衰了。

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