DTS烧结银盘湖南DTS国产DTS

DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下，SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高，成为时下火爆的发展领域之一。

终端应用市场对于率、高功率密度、节能的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。

众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。

目前，客户存的大痛点是键合时良率低，善仁新材推出的DTS预烧结焊片优势是：提高芯片的通流能力和功率循环能力，保护芯片以实现高良率的铜线键合。

善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘，为客户带来多重便利，包括无需印刷、点胶或干燥，GVF预烧结银焊片工艺（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起，同时具有较高的灵活性，可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍，并确保芯片的载流容量提高50%以上。