四川晶圆理片器晶圆找平
-
面议
产品特点:
立自主知识产权的直线型单臂机械手,具有高可靠性、高稳定性。
设备配有FFU,采用全封闭结构,可发挥超洁净性能,其洁净度达Class1。
可实现对晶圆缺口的检测并依据缺口位置对晶圆进行定位。
配备CCD传感器及图像处理软件,可对晶圆ID刻号进行识别与读取;
可依据客户需求,非标定制。
晶圆在加工过程中,需要对其进行划片处理,目前现有的晶圆划片设备村子按以下不足:1、晶圆初的放置随意性较大,影响后续晶圆的对正工作;2、每次只能对晶圆的一个表面进行划片处理,导致正反面划片的深度难以控制,增加了后期打磨的工作。
现阶段,硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单,但据片刚性差,切割全过程中锯片易方向跑偏.造成被切割工们的平面度差;而内圆切割只有进行直线切割,没法进行斜面切割。线锯切割技术具备割缝窄、率、切成片、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的切割技术。
在过去三十年期间,切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。新的、对生产率造成大影响的设备进展包括:采用两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到小的双轴(dual-spindle)切片系统。
在芯片的分割期间,刀片碾碎基础材料(晶圆),同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内,改善切割品质,和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
通常,切割的硅晶圆的质量标准是:如果背面碎片的尺寸在10µm以下,忽略不计。另一方面,当尺寸大于25µm时,可以看作是潜在的受损。可是,50µm的平均大小可以接受,示晶圆的厚度而定。现在可用来控制背面碎片的工具和技术是刀片的优化,接着工艺参数的优化。