湖北锂电保护芯片质量可靠

在过充保护延时时间（Toc）内，若所检测的电池电压低于过充检测电压（Voc）的时间超过过充重置延时（Treset），则过充累积的延迟时间（Toc）会被重置。否则，电池电压的下降就会被认为是无关的干扰从而被屏蔽。

.VM处于休眠检测电压（Vslp）和充电器检测电压（Vcharge）之间。所有电池电压过放解除电压（Vodr）且维持超过过放解除延时（Todr）。VM电压小于充电器检测电压（Vcharge）且所有电池都过放保护电压（Vod）。

CW1055可以多同时开启四路均衡。所有电池都平衡启动电压（Vbal）时，均衡不会开启。通过设置，CW1055可以选择过充保护后均衡继续工作。即，电池过充保护后，电池外置均衡放电回路仍然继续工作，当所有电池电压均低于过充解除电压（Vocr）时，CW1055打开CO端MOSFET，电池继续充电。如此循环直至所有电池电压都在平衡启动电压（Vbal）之上。

CW1055可选是否采用分时均衡。

分时均衡，即当均衡启动时，每个通道的均衡依次开启，单通道的开启时间8ms。若两个电池同时均衡时，每个通道各依次工作8ms。即使单通道开启瞬间电池电压低于均衡回复值，也需要做完8ms的放电电流后再关闭。

分时均衡可以使均衡电路热耗散设计的利用率大化，即增加平均均衡电流。

锂电保护芯片的温度保护
NTC电阻的阻值会随着温度的变化而变化，若RCOT、RDOT端检测到的电压达到内部比较阀值，且维持Tcot/Tdot时间，充电过温保护和放电过温保护触发。
充电过温保护后，充电MOSFET关断，但放电MOSFET打开；放电过温保护后，充放电MOSFET同时关断。

过温阀值设置步骤

1.选择NTC电阻；

2.确定充电过温保护阀值，如：50℃；

3.根据NTC电阻的曲线图，找到50℃对应的电阻值，如35kQ；

4.使用相同阻值的正常电阻连接至RCOT引脚；

5.放电过温保护设置使用相同的方法，但电阻需连接至RDOT引脚；

6.通过选择电阻来设定合适的过温保护温度CW1055使用一个NTC来达到不同的充电过温和放电过温阀值设定。但此电路应用于充放电异口的应用设计。如果充放电同口，充电过温和放电过温只能使用一个温度阀值。

CW1055可选低温保护。

低温保护只针对充电，在RCOT端进行设置，设置方式与过温保护一致。

若选择低温保护，充电过温和放电过温只能使用一个温度阀值。
当负载连接并开始放电时，DW06接通充电控制FET并返回正常状态。释放机制如下：在负载连接和放电开始后，放电电流立即流过充电FET的内部寄生二极管，并且VM引脚电压瞬间从GND引脚电压增加约0.7V（二极管的正向电压）。DW06检测到该电压并释放过充电状态。 因此，在电池电压等于或低于过充电检测电压（VCU）的情况下，DW06立即返回到正常状态，但是在电池电压过充电检测电压（VCU） 的情况下，即使负载连接，芯片也不会恢复到正常状态，直到电池电压低于过充电检测电压（VCU）。另外，当连接负载并开始放电时，如果VM引脚电压等于或低于过电流检测电压，则芯片不会返回到正常状态。
当电池电压在正常条件下放电期间下降到过放电检测电压(VDL)以下，并且持续时间达到过放电检测延迟时间(tDL)或更长时，DW06关闭放电控制FET并停止放电。这种情况称为过放电条件。放电控制FET关闭后， VM引脚被DW06中VM和VDD之间的RVMD电阻拉高。同时，当VM大于1.5 V（典型值）（负载短路检测电压）时，芯片的电流降低到断电电流（IPDN）。
在过流情况下，VM 和 GND 引脚在内部被 RVMS 电阻短路。当连接负载时，VM 引脚电压等于负载引起的 VDD 电压。当负载释放且 B+和 B-引脚之间的阻抗变得自动可恢复阻抗时，过流状态返回到正常状态。当负载被移除时，VM 引脚返回到 GND 电位，因为 VM 引脚通过 RVMS 电阻短接 GND 引脚。检测到 VM 引脚电位低于过电流检测电压（VIOV），IC 恢复正常状态。