氮化硅在半导体应用在哪些方面

氮化硅陶瓷主要组成物是Si3N4,这是一种高温强度高、高硬度、耐磨、耐腐蚀并能自润滑的高温陶瓷,线膨胀系数在各种陶瓷中小,使用温度高达1400℃,具有的耐腐蚀性,除外,能耐其它各种酸的腐蚀,并能耐碱、各种金属的腐蚀,并具有优良的电绝缘性和耐辐射性.可用作高温轴承、在腐蚀介质中使用的密封环、热电偶套管、也可用作金属切削刀具。

图片由杭州海合精密陶瓷提供

氮化硅陶瓷特点

Si3N4含有两种晶型，在高温状态下，β相氮化硅在热力学上更稳定，因此α氮化硅相会发生相变，转为β相从而高α相含量Si3N烧结时可得到细晶、长柱状β-Si3N4晶粒，提高材料的断裂韧性但陶瓷烧结时控制颗粒的异常生长，使得气孔、裂纹、位错缺陷出现，成为材料的断裂源。
氮化硅具有优良的化学性能,能耐除以外的所有无机酸和25%以下的氢氧化钠溶液腐蚀它耐氧化的温度可达1400℃,在还原气氛中高可使用到1870℃,对金属（特别是AL液）尤其对非金属不润湿。
氮化硅陶瓷由于是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化。

图片由杭州海合精密陶瓷提供

体积密度：3.1-3.3，抗弯强度：600-800MPa，外观颜色：黑灰色，产品纯度：99.9%

制造商：海合精密，特性：化工陶瓷，微观结构：多晶，形状：异形

功能：挤压用陶瓷，产品参数：180*20*10MM，价格：40元/件，产地：青海玉树市

氮化硅陶瓷工艺

氮化硅陶瓷和一般硅酸盐陶瓷不同之处在于其中氮和硅的结合属于共价键性质的键合,因而有结合力强、绝缘性好的特点。氮化硅的烧结与一般陶瓷的烧结工艺不同,采用的是反应烧结法,此法制造的氮化硅陶瓷,不能达到很高的致密度,一般只能达到理论密度的79%左右,不能制造厚壁部件提高氮化硅陶瓷致密度的有效方法之一就是在高温下进行加压烧结,由此可得到热压氮化硅陶瓷。

高纯纳米级氮化硅粉体 

产品纯度：99.99%以上

干压成型，等静压成型 

根据产品的外形和尺寸不同，采用不同工艺，确保产品质量

根据用户需求选择合理工艺 

可提供反应烧结，常压烧结，气压烧结，热压烧结等不同工艺方法制备的产品

尺寸精度：高可达0.003㎜

光洁度：高可达Ra0.03

同心度：高可达0.003㎜

平行度度：高可达0.003㎜

内孔：小可加工0.04㎜

直槽：窄可加工0.1㎜

厚度尺寸：小可加工0.1㎜

螺纹：小可加工内螺纹M2，外螺纹不限

氮化硅陶瓷精密结构件生产定制 

氮化硅，氧化锆陶瓷商品生产加工周期时间短，二十四小时内意见反馈价格，依据零件总数和加工工艺开展动态性生产调度，确保生产加工进展，迅速交货，是对您宝贵时间的了解。

产品检测，符合图纸要求 

氮化硅，氧化锆等瓷器零部件在进库前都是开展二次检验，确保原料质量，从源头上确保产品质量。

包装运输确保产品安全送达 

陶瓷材料属于硬脆材料，安全可靠的包装是产品流通的后一道环节

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