W9864G2IH-6，WINBOND/华邦内存闪存芯片

W968D6DAGX7I
256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
密度：256兆字节
Vcc： 1.8V/1.8V
频率：大时钟频率 133 MHz
封装：54VFBGA 温度范围：工业-40C~85C
功能列表：支持异步和突发操作， 随机存取时间：70ns，突发模式
读写访问：4、8、16 或 32 字，
或连续突发， 突发换行或顺序， tACLK：133 MHz 时为 5.5ns，104 MHz 时为 7ns，
低功耗特性：TCR、PAR、DPD
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25M512JVEIQ W25P16VSSIG
W25M512JVEJQ W25P20VSNIG
W25M512JVFIQ W25P240AF-6
W25N01GVZEIG W25P243AF-4A
W25N01GVZEIGTR W25P40VSNIG
W25N01GVZEIR W25Q1218BVFG
W25N01GVZEJG W25Q128BVEG
W25N01GWZEIG W25Q128BVEIG
W25N02JWZEIF W25Q128BVEIM
W25N02KVZEIR W25Q128BVFG
W25N02KVZEIRT W25Q128BVFIG
W25N512GWEKR W25Q128FVBIP
W25P16VSIG W25Q128FVEG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器，包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率，低功率功能的必要条件，使用电池的应用。它可在两个组织提供： 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行，输出数据被同步到系统时钟的正边缘，并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能，如部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行，支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号：
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
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W25Q256JV特性：
SpiFlash 存储器系列 – W25Q256JV：256M 位 / 32M 字节 – 标准 SPI： CLK， /CS， DI， DO – 双 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， – 四通道 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， IO2， IO3 – 3 或 4 字节寻址模式 – 软件和硬件复位（1）  串行闪存 – 133MHz 标准/双通道/四通道 SPI 时钟 – 相当于 266/532MHz 双通道/四通道 SPI – 66MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留 的“连续读取” – 四通道外设接口 – 允许真正的 XIP（就地执行）操作 – 优于 X16 并行闪存  低功耗、宽温度范围 – 2.7 至 3.6V 单电源 –<1μA 关断（典型值） – -40°C 至 +85°C 工作范围 – -40°C 至 +105°C 工作范围
华邦其他型号：
W25Q128FVEIG W25Q128FWFIG
W25Q128FVFG W25Q128FWFIQ
W25Q128FVFIG W25Q128FWPF
W25Q128FVIQ W25Q128FWPG
W25Q128FVPIG W25Q128FWPIF
W25Q128FVPIQ W25Q128FWPIG
W25Q128FVPQ W25Q128FWPIM
W25Q128FVSAQ W25Q128FWPM
W25Q128FVSIG W25Q128FWSBQ
W25Q128FVSIQ W25Q128FWSIF
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W25Q32JV系列：
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性：
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除（4K/32K/64K 字节） – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护（2） – 顶部/底部，补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 （SFDP） 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米（6x4/5x5 球阵列）
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车，工业，电视，机上盒，网路设备，电脑，BD播放器等。
已发布的 CAS，具有可编程的加性延迟（AL = 0、CL - 1 和 CL - 2），可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 （RL = AL + CL） 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 （ASR） 和部分阵列自刷新 （PASR）
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 （DM）
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 （CWL） 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 （MPR），用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 （ODT），用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口：SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
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一般描述 ：W29N02GV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276，824，064 字节，并组织成 2，048 个 135，168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2，048 字节和备用数据区域的 64 字节组成（备用区域通常用于错误管理功能）。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口，使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号（CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外，该器件还有另外两个信号引脚，#WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙碌），用于监控器件状态。
W25Q256FV：
3 字节或 4 字节寻址模式
UID 和 OTP 功能
易失性和非易失性 SR
单个块/扇区写保护
可编程输出驱动器强度
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
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