加压烧结银高剪切强度烧结银膏车规芯片烧结银

现有的银烧结技术需要一定的辅助压力，高辅助压力易造成芯片的损伤；善仁新材的有压烧结银AS9375可以无压烧结；

现有的银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。

相比于传统的焊锡合金和导电银胶等互连材料，善仁新材的有压低温烧结银焊膏AS9385的电导率和热导率可提升3倍，可靠性可提升5倍，并且烧结银熔点为961 ℃，理论上可以在<700 ℃的高温环境下可靠工作，可以满足高温、高功率密度的可靠封装应用需求，得到了越来越广泛的研究和应用。