TLE4254EJS英飞凌系列供应
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面议
英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合,采用引线封装,采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品,具有低的 RDS(开启)在 40 V 和高电流能力
汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 (SiC) MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET,包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性,并在空间和重量类别方面节省成本。
汽车场效应管应用
在汽车应用中,MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”,指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS(开启).第二类是“有源”,非常适合宽开关频率,并提供业界佳的品质因数(FOM)以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择,包括B保护, 崇敬极性保护, 线性电池充电器, 负载开关,直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.
静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器,用于驱动MOSFETs,IGBTs,碳化硅MOSFET, 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此,我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器,适用于任何功率器件,和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能,包括快速短路保护(DESAT),有源米勒钳位,直通短路保护,故障报告,关断,过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件