上海烧结银低孔隙率烧结银膏国产加压烧结银膏

传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术，在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。

烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。

在这种烧结过程中，在适当的压力、温度和时间条件下，经过持续加热，有压烧结银AS9385由粉末形态变为固体结构。与传统焊接材料相比，这种技术产生的烧结键更可靠，能够提高器件的性能和寿命。

SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，AS9385烧结银可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和高导热率（~240 W/m·K）的烧结银芯片连接界面，具有以下几方面优势：

③AS9385所用纳米银材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度；④烧结材料不含铅，属于环境友好型材料，并且避免清洗的过程，节省了时间，降低了成本。

相对于焊料合金，银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前，AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注，它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。