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　　磁控溅射设备是一种多功能、率的镀膜设备。可以在陶瓷、玻璃、石英、硅片等基底材料上溅镀金属、非金属、氧化物、介质等材料的薄膜,如:Au、Al、NiCr、TiW、Si、Al2O3、Si3N4、ZnO、ITO等。溅镀膜层均匀、致密、附着力强，可应用到新型电子材料制备及光学、太阳能、半导体等领域。

　　磁控溅射设备参数

　　舱体尺寸：1200×1500、1400×1950、1600×1950、1800×1950

　　电源类型：直流磁控电源、中频磁控电源、高压离子轰击电源

　　圆柱靶：直流磁控靶、中频孪生靶、平面靶

　　舱体结构：立式开门

　　真空系统：滑阀泵 罗茨泵 扩散泵 维持泵（可选装：分子泵、深冷泵）

　　气路系统：1-4路MFC

　　限真空：6×10－4pa（空载）

　　抽气时间：空载大气抽至5×10－3pa小于13分钟

　　旋转方式：6轴、8轴、9轴公自转，变频无级调速

　　控制方式：全自动、触摸屏 PLC

　　在磁控溅射镀膜过程中，薄膜沉积速率由哪些因素决定

　　沉积速率是指从靶材上溅射出来的材料，在单位时间内沉积到基片上的膜层厚度，该速率与溅射率成正比。有下列关系式：

　　qt=CIh

　　式中：

　　qt—表示沉积速率；

　　C—表征溅射装置特性的常数；

　　I—表示离子流；

　　h—表示溅射速率。

　　由此式可见，当溅射装置一定（即C为确定值，这个是溅射设备的固定参数，在设计之初，一般由靶基距等关键参数决定），又选定了工作气体后，提高沉积速率的办法是提高离子流。

　　磁控溅射法成膜速率正比于靶功率。决定沉积速率的因素有：刻蚀区的功率密度，刻蚀区面积，靶—基距，靶材，气体压强，气体成分等。上面列出的几个参数大致上是按重要性排列的，但其中有些参数之间有相互影响，如压强、功率密度及刻蚀区面积等。此外靶的热学性能与机械特性等也是限制溅射速率的因素。

　　磁控溅射技术作为物相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）方法之一，可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种薄膜材料，具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。目前，实验室拥有双靶、四靶磁控溅射，包含直流、射频、脉冲磁控激发电源以及考夫曼离子溅射清洗源，可沉积类金刚石（DLC）薄膜、氮化物、碳化物硬质薄膜以及氧化物半导体薄膜材料等，具有高沉积效率。

　　磁控溅射镀膜机的工作原理

　　磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳在同一电势。磁场与电场的交互作用使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等次原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。

　　磁控溅射的基本原理是利用 Ar一02混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。

　　磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。

　　磁控溅射镀膜机特点：

　　设备特点：系统为多室卧式结构的真空磁控溅射镀膜装置，主要用来在基片上设备能够沉积金属膜、氧化物、氮化物膜层或者氮氧化物薄膜。系统设计成6个腔体，腔体左侧中采用矩形热辐射加热器处理加热样品表面，腔室中可放置4个矩形磁控靶，采用磁控靶在上，基片在下，向下溅射成膜方式。

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