90V三相栅极驱动芯片-PT5619

产品简述

PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。的高压BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式.

产品特征

1.内部集成 90V 三相半桥高边和低边驱动器

2.内置了死区时间

3.内置直通保护

4.高边和低边驱动器内置欠压锁定

5.兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平

6. ENB 引脚控制进入到待机模式

7.驱动器汲出/汲入电流: 1200mA/2000mA

8.死区时间：0.5μs(typ.)

9. dv/dt 共模噪声消除电路

10.具有负瞬态电压忍受能力

11. 低 di/dt 栅极驱动特性，更好的 EMI 性能

12.工作温度范围：-40℃ 至 125℃

13.小尺寸封装：TSSOP20L/24L, QFN24

产品应用

1.电动车，电动工具应用中三相马达驱动
2.其他电池供电产品中马达驱动
3.其他三相逆变器