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本发明的直拉式单晶生长炉中，经 输入管输入的气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量为30L/min。 该流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L，有效降低了生产成本，且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性，还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中，碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和炉底部的排气口之间，且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石 墨中轴及一对电极孔配合设置，有效地减小了炉内空间，便于迅速及时地 将炉内的一氧化硅与的混合气体排出，且利于减少热能和的消耗量，使原有的引晶功率从65KW减到61KW;另外，由于该炉的排气口与气流 导向装置的各通气孔相连通，蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称：直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图；图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入，并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上，从而影响了单晶炉的使用寿命。

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而石墨加热器作为加热系统的核心部件,通过自身发热作为整个热场的热量来源,因此也是整个热场中为核心的部件。而加热器的设计需要综合考虑热学、力学、电学、机械等各个领域内的知识,比较复杂,因此很多使用的加热器都存在种种先天缺陷,造成使用时发热不足、打火、变形过大、寿命过短等问题。下文将从加热器的使用要求入手,分析加热器的设计。2加热器的工作原理与使用要求