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河南南京中科微Si12T电容传感器12通道移动应用

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Si12T 设置 IDLE 模式来节省功耗,此时,功耗电流为 3.5 µA@3.3V。
Si12T低功耗 12 通道电容触摸传感器

Si12T额定值:
电池供电电压 5.0 V
任何 pin 上的大电压 VDD+0.3
任何 PAD 上的大电流 100 mA
耗散功率 800 mW
贮存温度 -50 ~ 150 ℃
工作温度 -20 ~ 75 ℃
结温 150 ℃

Si12T:芯片代码
A: 封装日期年代码,5 代表 2020 年
BB:加工发出周记,例如 42 代表是 A 年的第 42 周发出加工
C:封装工厂代码,为 A、HT、NJ 或 WA,也简写为 A、H、N 或 W
D:测试工厂代码,为 A、Z、或 H
EE:生产批次代码

下一条:江西南京中科微Si522A读写芯片参考数据南京中科微
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Si12T电容传感器信息

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