半烧结银型号半烧结导电银胶

而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。

半烧结银AS9330是为芯片粘接提供了一种无铅(LEAD FREE)的替代方案，适用于高功率密度半导体封装, 符合RoHS要求。

AS9330半烧结银无需高温高压，可以在175度至200度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。剪切强度高达45MPA。