纳米烧结银美国烧结银替代浙江烧结银

随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。

2.银烧结技术原理
AS9385银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在250℃以下进行烧结，通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒，根据状态不同，烧结材料一般为烧结银膏工艺为：AS9385烧结银膏印刷印刷——预热烘烤——芯片贴片——加压烧结；

烧结得到的连接层为多孔性结构，孔洞尺寸在微米及亚微米级别，连接层具有良好的导热和导电性能，热匹配性能良好。