原装出售FDMS6681Z和MJD210T4G和LTC4359HDCB全新

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一、FDMS6681Z 晶体管：
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21.1A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 3.2 毫欧 @ 22.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 241nC @ 10V
Vgs（大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 10380pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.5W（Ta），73W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN



二、MJD210T4G 晶体管：
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极（Ic）（大值） 5A
电压 - 集射极击穿（大值） 25V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（大值） 1.8V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（小值） 45 @ 2A，1V
功率 - 大值 1.4W
频率 - 跃迁 65MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 DPAK



三、LTC4359HDCB OR 控制器，理想二极管：
类型 N+1 ORing 控制器
FET 类型 N 沟道
比率 - 输入:输出 N：1
内部开关 无
延迟时间 - 开启 200µs
延迟时间 - 关闭 300ns
电流 - 输出（大值） 220µA
电流 - 电源 150µA
电压 - 电源 4V ~ 80V
应用 汽车级，冗余电源，电信基础设施
工作温度 -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-DFN（2x3）


公司还长期供应以下型号：
EM2130H01QI
EM2130L02QI
EM2120L01QI
EM2120H01QI
EN6382QI
MCIMX7D2DVK12SD
P9038-0NDGI8
CYP15G0403DXB-BGXC
CY7C1418KV18-300BZXC
XC95144XV-7CSG144C
XCZU27DR-L2FFVE1156E
SPC5746CSK1AMMH6
TPS54428DDAR
LTC4359HDCB
MX25L3233FM2I-08G
B39791-B8539-P810
NFMJMPC226R0G3D
DF81-40S-0.4H(51)
MJD210T4G
FDMS6681Z
02011J0R4ZBSTR


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