纳米烧结银耐温500度银膏

无压烧结银优势、银烧结流程及烧结银应用
随着高功率芯片，器件和模组的日益发展，散热性需要大幅度的提高，无压烧结银是解决散热性的。

剪切强度大（剪切强度大于80MPA（2*2镀金芯片））；
4.操作简单（无需加压，普通烘箱即可烧结）；

低温无压烧结银对镀层的四点要求
对于AMB基板、DBC基板以及底板来说,铜或铝表面在空气中会发生氧化,形成的氧化物薄膜会阻碍与低温烧结银之间的原子扩散和金属键的形成,降低连接强度。为避免基板表面的氧化,提升与互连材料之间的连接强度,需要对基板进行金属镀层处理。AS9376低温无压烧结银对镀层要求有以下四点

需要对互连材料具有良好的润湿性,来形成无空洞连接层。金属镀层表面需要避免产生氧化物或氮化物,避免底层的元素扩散到表面造成污染。

4、金属间化合物尽量少
需要尽量避免产生金属间化合物。金属间化合物一般为脆性,三元金属间化合物比二元金属间化合物更脆,易导致可靠性问题。如不能避免,需要尽量形成较薄的、不连续的金属间化合物层。

低温无压烧结银AS9376可以实现高强度的低温烧结银的互连,可以无需额外的热压设备,大大降低生产成本,这对于拓展烧结银互连材料和技术具有非常重要的理论和应用价值。