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单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，电控系统采用微机控制，功能全、精度高、稳定性好。且具有以下特点：温度自动控制系统\电机调速控制系统\单晶直径自动控制系统\单晶熔体自动跟踪系统\单晶重量及长度显示功能\各拉晶有关参数包括籽晶轴，坩埚轴的转动速度，晶升和埚升速度，炉内压力，冷却部位温度等数据都采用数字显示仪表指示，两笔记录仪记录温度和籽晶拉速，能稳定的控制生长直径5～8英寸，直径均匀的无错位单晶。采用软籽晶轴，具有特的晶体提升机构。的磁流体密封技术，新型翻板阀结构，拱形封头式炉盖结构，考虑热变形采用浮动提升结构，防止卡死现象。单晶提拉采用可承受150Kg不锈钢丝软轴，电控系统采用微机控制，红外测径技术，进口电动及驱动器，保生长大扭矩高稳定性。