许昌高纯锑杂质分析成分检测中心

通过电解冶炼过程得到的普通铝锭的纯度一般在99%以上，普通的铝锭再经过偏析法、三层电解法或联合区域熔炼法可制得高纯铝锭，然后再对高纯铝锭进行锻造、轧制、热处理等，使铝锭内晶粒变细小、致密度增加以满足溅射所需铝靶材的要求。变形处理完成后，再焊接底板，然后对坯料进行机械加工，后对靶材进行表面清洁处理等。铜、钛和钽等靶材的制造工艺除在具体的熔炼方法和加工工艺参数有不同之外，工艺过程基本相同，粉末冶金铸造法是溅射靶材的另一种重要制造工艺，对于钨钛靶这类由两种熔点差别较大的金属组成的合金靶材则会选择粉末烧结工艺，粉末冶金工艺一般选用高纯、超细粉末作为原料。

由于承担与镀膜设备配合、承受高压水冷等作用，需要具备的尺寸精度与机械精度，加工难度较高。尤其是带内循环水路的背板。由于材质的特殊性，水路的密闭焊接非常困难。需要用到特种焊接工艺，l金属化：靶坯与背板在绑定之前，为增强靶材和靶材与焊朴的全属润湿性能，需要进行焊合面的预处理，使之表面锭上一层过渡层，l绑定：大部分靶材由于材料的物理或者化学性能受限，不可直接装机镀膜使用。需要采用金属焊料将靶坯与背板相互焊合连接，并且表面有效粘结率需要达到大于95%的大面积焊合，整个过程需要在高温和高压下进行，以铝靶材制造过程为例。

如烧结气氛、烧结压力等，从而制备成高密度的靶坯，l塑性加工：金属坯锭需经过大幅度的塑性变形。以获得足够的长宽厚度尺寸，并使得内部晶粒进行足够的拉伸变形。从而在内部产生足够多的位错，l热处理：金属坯锭在经过大幅度的塑性变形后。根据不同的材料的特性选择热处理工艺，从而使金属材料发生重结晶去除内应力，l超声探伤：靶坯加工完后需要采用波进行检查材料内部是否有缺陷。靶坯与背板绑定完成后，需要采用水浸式超声波扫描仪进行粘结层的检测，看粘结面积是否达标。l机械加工：靶坯需要进行精密的机械成型加工，用于与靶坯复合使用的背板。

具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58。而TbFeCofFa则可以接近08。经过研究发现。低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术。不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元，降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。

铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。显示器用，平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场。亦将带动ITO靶材的技术与市场需求，如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结。一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚。

陶瓷靶材，ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶。三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽。五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶。氮化硅靶，氮化硼靶。氮化钛靶，碳化硅靶。铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等，合金靶材。铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSi、钛硅靶TiSi、铬硅靶CrSi、锌铝靶ZnAl、钛锌靶材TiZn、钛铝靶TiAl、钛锆靶TiZr、钛硅靶TiSi、钛镍靶TiNi、镍铬靶NiCr、镍铝靶NiAl、镍钒靶NiV、镍铁靶NiFe等。

搭配上聚光光学组件从而使其应用领域开始扩大，并且正在以较快的速度普及。CIGS薄膜太阳能电池是第三代太阳能电池。具有生产、安装、使用成本低，光电转换率高的优势，因而在众多太阳能电池产品中成为发展快的一族，虽然世界上已投产或在建的CIGS工厂已超过40多家。但金属镓在CIGS的原材料中所占比重仅为5%—10%。随着CIGS生产规模的扩大，该行业对金属镓的需求会有明显增长，在原子能工业中。镓可以作为热传导物质。将反应堆中的热量传导出来，此外。镓还可以吸收中子。从而达到控制中子数目和反应速度的效果，碘化镓应用到高压水银灯镓还可以用来制造阴极蒸汽灯。
其名源自tellus。意为“土地”，1782年米勒·冯·赖兴施泰因(FJMüllervonReichenstein)发现，碲为斜方晶系银白色结晶。溶于硫酸、硝酸、王水、氰化钾、氢氧化钾；不溶于冷水和热水、二硫化碳，高纯碲以碲粉为原料，用多硫化钠抽提精制而得，纯度为99999%。供半导体器件、合金、化工原料及铸铁、橡胶、玻璃等工业作添加剂用。碲有两种同素异形体，即黑色粉末状、无定形碲和银白色、金属光泽、六方晶系的晶态碲半导体。禁带宽034电子伏，[4]。碲的两种同素异形体中，一种是晶体的碲，具有金属光泽，银白色。
高纯碲是化学式为Te，熔点为450℃的单质，性质：纯度在99999%以上的碲，有5N。6N和7N三种规格，灰白色金属光泽的结晶，六方晶格。密度624g/cm3，熔点450℃，沸点989℃。室温下不与氧起作用，加热时能与氢作用生成碲化氢，其显著的性质是用它制成的二元、三元、四元合金具有很好的光电性能及温差电转换性能，以95%～99%纯度的工业碲为原料，采用碱性(或酸性)溶液电解或区域熔炼相结合的方法制取。用于太阳能电池、发光二极管、辐射探测器制造。为半导体掺杂剂，碲(tellurium)是一种准金属，元素符号为Te。