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单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，因此，在向单晶炉内不断充入 的同时，还用真空泵将混合气体排出炉外；在排气时，混合气体流经 炉中的加热器、坩埚支持器等处，后经过炉下端的排气口排出。上述图1的单晶炉的不足之处在于单晶炉内空间较大，尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大；另外，现有技术中，从输入管向炉内充入时， 充气气压为1. 3x 103pa，流量为40L/min,因此其消耗量大，生产 成本较高。