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加压烧结银中国加压烧结银膏

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烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.

同时在此基础上开发出双面银烧结技术,将银带烧结在芯片正面代替了铝线,或取消底板将基板直接烧结在散热器上,大大简化了模块封装的结构。

芯片连接采用银烧结合金而不是焊接,烧结连接熔点更高,这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多,功率模块的热循环能力可增加5倍。

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三代半加压烧结银信息

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