崇文新款半导体清洗剂厂家,芯片清洗剂

被清洗物上往往有多种物质材料构成，包括金属材料、非金属材料、化学材料。比如SIP，通常上面包括了镀金面，银表面，芯片表面铝层，焊料合金表面，元件表面的化学涂覆层，粉沫冶金器件的非金属材料以及包括阻焊膜、字符等等化学材料，都需要在清洗制程中，不会受到影响或者影响在可允许范围之内。材料兼容性是水基清洗中繁琐同时也是重要的考虑因素，水基清洗剂选型在针对被清洗物上材料兼容性的考量所占的权重比大，涉及面广，测试验证手续复杂。需要有一系统规范的验证方式来针对材料兼容性进行系统的验证和评估。才可能被清洗物件等等材料在清除污垢后，能这些材料原有的功能特性。当然，同时也需考虑运行设备与清洗剂所接触的材料的兼容性，清洗机上的泵，阀，管件，喷头，输送及密封材料都需做水基清洗剂的材料兼容性测试。

BGA封装工艺流程

PBGA基板的制备

在BT树脂/玻璃芯板的两面压极薄（12-18um厚）的铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化，通孔一般位于基板的四周；再用常规的PWB工艺（压膜、曝光、显影、蚀刻等）在基板的两面制作图形（导带、电极以及安装焊球的焊区阵列）；后形成介质阻焊膜并制作图形，露出电极及焊区。
封装工艺流程
圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→清洗→引线键合→清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→打标→分离→检查及测试→包装
芯片粘结：采用充银环氧树脂粘结剂（导电胶）将IC芯片粘结在镀有Ni-Au薄层的基板上
引线键合：粘结固化后用金丝球焊机将IC芯片上的焊区与基板上的镀Ni-Au的焊区以金线相连
模塑封装：用石英粉的环氧树脂模塑进行模塑包封，以保护芯片、焊接线及焊盘。
回流焊：固化之后，使用特设设计的吸拾工具（焊球自动拾放机）将浸有焊剂熔点为183℃、直径为30mil（0.75mm）的焊料球Sn62Pb36Ag2，或者Sn63Pb37放置在焊盘上，在传统的回流焊炉内在N2气氛下进行回流焊接（高加工温度不超过230℃），焊球与镀Ni-Au的基板焊区焊接。
装配焊球有两种方法：“球在上”和“球在下”



球在上：在基板上丝网印制焊膏，将印有焊膏的基板装在一个夹具上，用定位销将一个带筛孔的顶板与基板对准，把球放在顶板上，筛孔的中心距与阵列焊点的中心距相同，焊球通过孔对应落到基板焊区的焊膏上，多余的球则落入一个容器中。取下顶板后将部件送去再流，再流后进行清洗。



“球在下”：过程与“球在上”相反，先将一个带有以所需中心距排列的孔（直径小于焊球）的特殊夹具放在一个振动/摇动装置上，放入焊球，通过振动使球定位于各个孔，在焊球位置上印焊膏，再将基板对准放在印好的焊膏上，送去再流，之后进行清洗。



焊球的直径是0.76mm(30mil)或0.89mm(35mil)，PBGA焊球的成分为低熔点的63Sn37Pb(62Sn36Pb2Ag)。

IGBT 的导通和关断由栅-射极（即上图中源极）电压 UGE 控制。其工作原理是栅极电压 UGE 为正向电压且 大于开启电压时，IGBT 中的 MOSFET 部分形成沟道，提供基极电流，器件导通，IC和 UGE大部分保持线性； 而在栅极加零或负电压时，沟道消失，基极电流为 0，IGBT 关断。IGBT 导通电阻的降低是因为 PNPN 四层结 构带来的 PN 结电导调制效应。静态电气特性方面高栅-射极电压受大集电极电流限制，饱和区类似 MOS 结构特性有源区类似于晶体管特性，所以 IGBT 主要工作在饱和区（开）和正向阻断区（关）；而动态电气特性 方面，器件导通需要经历栅极正向电压-基极电流产生-集电极电流产生的过程，故有两次延迟；器件关断时因为 没有反向基极电流抽取过量载流子，故只能通过集电极传导，形成拖尾电流。综上，IGBT 可以满足逆变的基本 需求，但开关速度、开关损耗等存在一定劣势。当前硅基 IGBT 系统的综合效率（以逆变器效率计）约 92%， 相比于其峰值效率仍有一定差距。