IGBT功率模块CM900HG-130X
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高电压、大电流:适用于数千伏特至数百安培范围内的工作条件。
高开关频率:相比传统MOSFET和SCR,IGBT具有更低的导通损耗和更快的开关速度。
热稳定性好:内置散热片和热管理系统,有效散发工作时产生的热量。
集成度高:将多个IGBT芯片和驱动电路封装在一起,节省空间,便于安装和维护。
控制简单:仅需较小的驱动功率就能实现大电流切换,简化了外围电路设计。
保护功能完善:集成有过压、过流、过热等多重保护机制。
IGBT功率模块内部的IGBT器件在接收到控制信号后,能够在极短时间内导通或截止,实现电能的快速转换。当栅极端施加正向偏置电压时,IGBT导通;反之则关闭。这一特性使其在开关电源、电机驱动、逆变器等设备中实现了的能量传输和调节。
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