蓝宝石氮化镓衬底片生产商恒迈瑞2英寸氮化镓复合衬底

蓝宝石氮化镓衬底片生产商恒迈瑞2英寸氮化镓复合衬底
苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸，6英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂，及Mg镁掺杂，抛光要求可为单抛或双抛。
氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)±0.5°
位错密度：≤5x108cm-2
抛光要求：单抛/双抛

GaN氮化镓在成本控制方面显示出了更强的潜力。目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，来替代昂贵的SiC衬底。有分析预测，到2019年GaN MOSFET的成本将与传统的Si器件相当，并且GaN技术对于供应商来说是一个非常有吸引力的市场机会，它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。再者，由于GaN器件是个平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。