DTS+TCB焊片上海DTS善仁DTS
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DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下,SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高,成为时下火爆的发展领域之一。
新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装,以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例,导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术,
在成型技术也相当困难,由于电镀银是局部镀银,相较于全镀,部分镀银技术很难,做模具,且放置芯片处用局部银,一个导线架搭两个芯片,芯片局部银,其他引线框架用镍钯金,材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。
单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片与lead frame之间的焊料,优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例,基于GVF预烧结银焊片,相比当前焊接版的TO247-3/4L,可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c),和约45%的瞬态热阻。
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类,二者集成为功率模块(包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块)。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高,当前的封装材料已经达到了应用极限。
善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘,为客户带来多重便利,包括无需印刷、点胶或干燥,GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起,同时具有较高的灵活性,可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding))能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍,并确保芯片的载流容量提高50%以上。
SHAREX的预烧结银焊片GVF9800(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)是结合了烧结银,铜箔和其他材料的一种复合材料,由以下四个部分组成:具有键合功能的铜箔;预涂布AS9385系列烧结银;烧结前可选用临时固定的胶粘剂;保护膜或者承载物。
在能源效率新时代,SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景,接下来将逐步打开更大的发展空间。