高可靠有压烧结银加压烧结银车规芯片烧结银

基于以上两款焊料的不足，有压烧结银AS9385应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。

经过第三方的测试，善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa，剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度，

国内能提供纳米烧结银焊料的生产企业-SHAREX善仁新材为宽禁带半导体封装做出应有的贡献。但事实上，设计领域的许多工程师并不了解半导体器件设计和制造的细节，特别是银烧结技术。

善仁新材的烧结银技术可以解决以下五个问题：
1 现有的烧结银的技术成本远焊膏，烧结银成本随着银颗粒尺寸的减小而增加；善仁新材自己研发的纳米银，可以降低烧结银的综合成本；

现有的银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上，生产效率较低；加压烧结银AS9385整个烧结过程可以缩短到20分钟。

现有的银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。