NTH4L070N120M3S,场效应管ON/安森美原装供货
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¥15.00
UC2842BD1R2G
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC-DC转换器应用而设计,为设计人员提供了具有极少外部元件的高性价比解决方案。这些集成电路具有用于占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器和非常适合驱动功率 MOSFET 的高电流图腾柱输出。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
FDB075N15A-F085
FDP085N10A-F102
FDI045N10A-F102
FDP020N06B-F102
FDP075N15A-F102
FDP027N08B-F102
FDP023N08B-F102
ON/安森美全系只做原装,我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询!
NTHL027N65S3HF功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 75 A, 27.4 mΩ, TO-247®®
功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 75 A, 27.4 mΩ, TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,该系列采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗,提供的开关性能,并承受极端的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路,用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品,工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET (Q1),该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET (Q6)。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV4276CDSADJR4G
NCP3335ADM180R2G
NCP3335ADM250R2G
NCV8730ASN330T1G
NCV8730ASN330T1G
NCV59749MNADJTBG
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FCH085N80-F155功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET II, 800 V, 46 A, 85 mΩ, TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗,提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述:
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
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MOC3041SR2M概述:
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成,该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅,用于由 115VAC 线路供电的设备,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET,80V,123A,3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装,专为紧凑、的设计而设计,并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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FSA2567UMX简述:
模拟开关(DPDT、SPDT、SPST 和其他配置),用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、,针对双SIM卡的双掷(4PDT)模拟开关多路复用。它经过优化,可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号,并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容(CON),以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压(VCC)。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序,如手机;允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NVMFWD024N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS020N06CT1G
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
PCS3P8504AG-08CR
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CAT4104V-GT3简述:
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流,可驱动串联的高亮度 LED,每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压,支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护,可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
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NCP1399ACDR2G
NCP1399是一款用于半桥谐振转换器的电流模式控制器。这款控制器实施了600V栅极驱动器,简化了布局,减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中,NCP1399具有一个输出来驱动PFC控制器。这个功能结合的Skip模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399提供了一套保护功能,可实现在任何应用中的安全运行。其中包括:过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压(OVP)和过温(OTP)保护。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
MC74LVXT8051DR2G
NB7NPQ1002MMTTWG
NCP1253BSN100T1G
NCP3335AMN280R2G
NCP380LSNAJAAT1G
NCP45520IMNTWG-L
NCP716BCSN330T1G
NCP716BCSN500T1G
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