OPA4364AQDRQ1，TI汽车级芯片

TI德州仪器电池管理 IC电池充电管理芯片部分型号参数性能：
BQ24074RGTR描述：
具有电源路径、4.2V VBAT、10.5V 过压保护和 4.4V VOUT 的立型单节电池 1.5A 线性电池充电器
BQ25170J 800-mA JEITA-compliant linear battery charger for 1-cell Li-Ion and LiFePO4
BQ25175 采用 WCSP 封装的立单节 800mA 线性电池充电器
BQ51013B-Q1 符合 WPC 1.2 标准的汽车类完全集成式无线电源接收器 IC
BQ25672 具有双输入选择器和集成 ADC 的 I²C 控制型 1-4 节 3A 降压电池充电器
BQ25723 具有电源路径和 USB-C® PD OTG 的 I²C 1-4 节电池 NVDC 降压/升压电池充电控制器
BQ25798 具有双输入选择器和 MPPT 的 I²C 控制型 1 至 4 节 5A 降压/升压太阳能电池充电器
BQ25720 具有电源路径和 USB-C® PD OTG 的 SMBus 1-4 节电池 NVDC 降压/升压电池充电控制器
部分型号：
BQ24040DSQR BQ24725ARGRR
BQ24073RGTR BQ25504RGTR
BQ24074RGTR BQ25570RGRR
BQ24075RGTR BQ25895RTWR
BQ24100RHLR BQ28Z610DRZR
BQ24125RHLR BQ29700DSER
BQ24133RGYR BQ32000DR
BQ24172RGYR BPWR
BQ24210DQCR BPWR
BQ24640RVAR AMC1311DWVR我们只做原装，更多信息请咨询！

TI德州仪器监控器和复位 IC部分型号特性：
TPS3808-Q1 汽车类低静态电流可编程延迟监控器
TPS3619-33-EP 适用于 RAM 保持模式的增强型产品电池备份监控器
TPS3106-EP 增强型产品低电源电流/电源电压监控电路
TPS3809-EP 增强型产品 3 引脚电源电压监控器
TPS3620-33-EP 适用于 RAM 保持模式的增强型产品电池备份监控器
TPS3836-EP 增强型产品毫微功耗监控电路
TPS3813K33-EP 增强型产品，具有视窗看门狗的处理器监控电路
TPS3837K33-EP 增强型产品纳瓦级功耗监控电路
TPS3807A30 低静态电流、双通道监控器

TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询：
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS61029QDRCRQ1
符合 AEC-Q100 标准的 0.9V 至 5.5V 输入范围、1.8A 升压转换器
封装信息
封装 | 引脚
VSON (DRC) | 10
工作温度范围 (°C)
-40 to 125
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
TI/德州仪器电源管理芯片型号多，规格齐，需要具体型号请咨询。
其他部分型号有：
TPS78408QDBVRQ1
TPS74630PQWDRBRQ1
TPS74613PQWDRBRQ1
TPS6565342RHDTQ1
TPS61251DSGT
TPS22990DMLT
LMX2595RHAR
DAC8734SPFBR
TCAN334D
REF3430QDGKRQ1
TPS62130ARGTR

TPS259541DSGR
采用小型 WSON 封装、具有过压保护功能的 2.7V 至 18V、34mΩ、0.5A 至 4A 电子保险丝
封装信息
封装 | 引脚
WSON (DSG) | 8
工作温度范围 (°C)
-40 to 125
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
更多其他TI型号：
SN74AUP2G17DSFR LM3492QMHX/NOPB
TMS320F28030PNT SN75HVD11DR
TLV2373IDGSR LMR51430YDDCR
SN74HC139QDRQ1 BQ25150YFPR
TLV2372QDRG4Q1 TPS259541DSGR
TPS61029QDRCRQ1 TLC5973DR