STM32L471ZGJ6，意法32位微控制器单片机优势供货

STW70N65DM6
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比，DM6具有非常低的恢复电荷（QRR）、恢复时间 （tRR）和R的出色改进DS（开启）单位面积，具有市场上有效的开关行为之一，适用于要求苛刻的桥式拓扑和 ZVS 移相转换器。
ST其他部分单片机MCU型号：
STM32F101R6T6
STM32F101C6T6
STM32F103C6T6
STM32F103R6T6
STM32F101T6U6
STM32F103T6U6
STM32L433CCT6
STM32L443CCU6
STM32F334R8T6
STM32L433RCI6
STM32L443CCT6
STM32L432KCU3
STM32L083VZT6
STM32L452RCI6
STM32L451CEU6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 （FERD）该单整流器基于专有技术，可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装，旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分单片机MCU型号：
STM32G473RBT6
STM32F411VCT6
STM32F302VCT6
STM32G491KEU6
STM32L451RET6
STM32L452REI6
STM32L433VCI3
STM32G491CEU6
STM32F373VCH6
STM32G474RCT6
STM32G491REI6
STM32L462VEI6
STM32L452REI3
STM32G473CET6
STM32G474CEU6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分单片机型号：
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
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STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发，该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分单片机型号：
STM32L552CET6
STM32F303VCT7
STM32L562CEU6
STM32F411VEH6
STM32L452VET6
STM32L152RET6
STM32L552RET6
STM32L452RET3
STM32L562RET6
STM32G473RET6
STM32L475VET6
STM32G483RET6
STM32F302ZDT6
STM32G474CET3
STM32F732RET6
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STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计，该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号：
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
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