上海烧结银纳米烧结银胶heraeus烧结银替代

大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的
传统功率模块中，芯片通常通过锡焊材料连接到基板。在热循环过程中，连接界面通过形成金属间化合物层形成芯片、锡焊料合金与基板的互联

功率模块封装技术的重要趋势之一是在功率模块中越来越多地使用碳化硅MOSFET作为Si IGBT的替代品，特别是在电动车的应用中。这导致了对能够承受更高工作温度的功率模块封装材料的日益增长的需求，例如银烧结芯片粘接、的低杂散电感电气互连、Si3N4-AMB衬板、结构化底板以及高温稳定的封装材料。

随着技术的不断演进和优化，烧结银技术在高工作温度、高热导率和高可靠性方面的优势将更加明显，善仁新材也在通过技术创新、工艺改进和产业生态合作来推动烧结银的应用。