TPS70933DRVRM3，TI汽车级芯片

TI德州仪器线性和低压降 (LDO) 稳压器品类的 LDO 产品系列
汽车级线性和低压降 (LDO) 稳压器产品系列：
TPS785-Q1 汽车类 1A 可调节低压降 (LDO) 线性稳压器
TPS784-Q1 具有和使能功能的汽车类 300mA、低 IQ、高 PSRR LDO 稳压器
TPS746-Q1 具有电源正常指示功能的汽车类、1A、低 IQ、高 PSRR、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A54-Q1 汽车类 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A53-Q1 汽车类 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A52-Q1 汽车类 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A88-Q1 汽车类 1A、低噪声、、双通道可调节低压降稳压器
TLV733P-Q1 具有使能功能的汽车类 300mA、低 IQ、低压降稳压器
LP5912-Q1 具有反向电流保护功能的汽车类 500mA、低噪声、低 IQ、低压降稳压器
TPS720-Q1 具有使能功能的汽车类、350mA、低输入电压 (1.1V)、高 PSRR、低 IQ、低压降稳压器
TLV713P-Q1 具有使能功能的汽车类 150mA、低压降稳压器
LP3990-Q1 具有使能功能的汽车类 150mA、低 IQ、低压降稳压器
LP5907-Q1 具有低 IQ 和使能功能的汽车类 250mA、低噪声、高 PSRR、低压降稳压器
TPS735-Q1 具有使能功能的汽车类 500mA、低噪声、低 IQ、低压降稳压器
TPS7A8101-Q1 具有使能功能的汽车类、1A、高 PSRR、可调节低压降稳压器
LP3996-Q1 具有电源正常指示和使能功能的汽车类 150mA、低 IQ、双通道低压降稳压器

TI德州仪器电池管理 IC电池充电管理芯片部分型号参数性能：
BQ25629RYKR
具有 USB 检测和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25628 具有升压模式和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25629 具有 USB 检测和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25622 具有 18V 大输入、电流限制、ADC 和 OTG 的 I²C 控制型单芯 3.5A 降压电池充电器
更多型号：
LM61480Q4RPHRQ1 PTH04000WAZT
CDCM9102RHBR LMV324MTX/NOPB
SN74LV4T125PWR TMP75CQDGKRQ1
TPS73218DCQR BQ25505RGRT
REF3325AIDCKT TPS23750PWP
F28384DZWTQR TPS51220ARTVT
LV2862YDDCR MSP430F169IRTDR
LM4050QAIM3-2.0/NOPB TLV61220DBVR
SN74LVC1G14DRYR ISO7142CCDBQ
TPS73733DCQR TPS5420MDREP
SN74AUC1G08DRLR TMP461AIRUNT-S
OPA2170AIDCUT TUSB211IRWBR

TI德州仪器监控器和复位 IC部分型号特性：
TPS3436-Q1 汽车类、纳安级静态电流、精密窗口看门狗计时器
TPS3435-Q1 汽车类纳安级静态电流精密看门狗计时器
TPS3704-Q1 精度紧凑型汽车多通道窗口监控器
TPS3760-Q1 具有感应功能、低 IQ 和延迟的汽车类 65V 过压或欠压监控器
TPS38 具有低静态电流和延时功能的 65V 双通道监控器
TPS3760 具有感应功能、低静态电流和延迟的 65V 过压或欠压监控器
TPS389006-Q1 汽车类多通道过压和欠压 I²C 可编程电压监控器和监测器
TPS37 具有低静态电流和延时功能的 65V 窗口监控器
TPS37-Q1 具有低静态电流和延时功能的汽车 65V 窗口监控器
TPS38-Q1 具有低静态电流和延时功能的汽车类 65V 双通道监控器
TPS3704 精度紧凑型多通道窗口监控器

TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询：
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS259541DSGR
采用小型 WSON 封装、具有过压保护功能的 2.7V 至 18V、34mΩ、0.5A 至 4A 电子保险丝
封装信息
封装 | 引脚
WSON (DSG) | 8
工作温度范围 (°C)
-40 to 125
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
更多其他TI型号：
SN74AUP2G17DSFR LM3492QMHX/NOPB
TMS320F28030PNT SN75HVD11DR
TLV2373IDGSR LMR51430YDDCR
SN74HC139QDRQ1 BQ25150YFPR
TLV2372QDRG4Q1 TPS259541DSGR
TPS61029QDRCRQ1 TLC5973DR