ULQ2003AN，TI汽车级芯片

TI德州仪器线性和低压降 (LDO) 稳压器低噪声 LDO产品系列：
TPS7A87 500mA、低噪声、高 PSRR、双通道可调节低压降稳压器
TPS7A88 1A、低噪声、高 PSRR、双通道可调节低压降稳压器
TPS7A3501 具有使能功能的 1A、低噪声、可调节低压降稳压器
TPS7A54 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A53 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A52 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A54-Q1 汽车类 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A53-Q1 汽车类 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A52-Q1 汽车类 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A83A 具有电源正常指示功能的 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A85A 具有电源正常指示功能的 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A84A 具有电源正常指示功能的 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A85 具有电源正常指示功能的 4A、低输入电压、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A84 具有电源正常指示功能的 3A、低输入电压、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A92 2A、低噪声、高 PSRR、、可调节低压降稳压器
TPS7A90 500mA、低噪声、高 PSRR、、可调节低压降稳压器
TPS7A91 1A、低噪声、高 PSRR、、可调节低压降稳压器
TPS7A53A-Q1 汽车类 3A、低输入电压、低噪声 (5.6µVRMS)、、低压降稳压器
TPS7A8300 具有电源正常指示功能的 2A、低输入电压、低噪声、低压降稳压器
LP8900 具有使能功能的 200mA、低噪声、、双通道低压降稳压器
LP5907-Q1 具有低 IQ 和使能功能的汽车类 250mA、低噪声、高 PSRR、低压降稳压器

TI德州仪器监控器和复位 IC部分型号特性：
TPS3808-Q1 汽车类低静态电流可编程延迟监控器
TPS3619-33-EP 适用于 RAM 保持模式的增强型产品电池备份监控器
TPS3106-EP 增强型产品低电源电流/电源电压监控电路
TPS3809-EP 增强型产品 3 引脚电源电压监控器
TPS3620-33-EP 适用于 RAM 保持模式的增强型产品电池备份监控器
TPS3836-EP 增强型产品毫微功耗监控电路
TPS3813K33-EP 增强型产品，具有视窗看门狗的处理器监控电路
TPS3837K33-EP 增强型产品纳瓦级功耗监控电路
TPS3807A30 低静态电流、双通道监控器

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A

TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询：
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品：
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级