STM32F103VBT6特性：
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F072C8U7
STM32F072R8T6
STM32F071V8T6
STM32F091CBT7
STM32F078RBT6
STM32F091CCT7
STM32F072RBT7
STM32F091CCU6
STM32F098CCT6
STM32F091CCU7
STM32F091VCT7
STM32F042C6T7
STM32F071CBT7
STM32F078CBT6
STM32F072CBU7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。
FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 （FERD）该单整流器基于专有技术，可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装，旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分单片机MCU型号：
STM32G473RBT6
STM32F411VCT6
STM32F302VCT6
STM32G491KEU6
STM32L451RET6
STM32L452REI6
STM32L433VCI3
STM32G491CEU6
STM32F373VCH6
STM32G474RCT6
STM32G491REI6
STM32L462VEI6
STM32L452REI3
STM32G473CET6
STM32G474CEU6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。
SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm（典型值 TJ = 150 C），采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力（TJ= 200 °C）
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分单片机型号：
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！