紫外宽谱光刻胶C7600C8315
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KMP E3100系列光刻胶是专为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶,其采用酚醛树脂体系,与正胶工艺相容(可用正胶显影液进行显影)。E3100系列具有多个型号,膜厚范围为1.0-4.5um,可以满足不同工艺对倒梯角的需求,此外具有分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点,广泛用于IC/LED芯片制造过程中的Lift Off工艺。
KMP C7500系列光刻胶是高分辨I线光刻胶,其采用了特的树脂结构及具有高分辨性能的感光剂,在0.75um膜厚下可以实现0.35um的分辨率。该系列光刻胶具有不同的粘度,其膜厚范围为0.5-2.0um,同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点,适用于集成电路制造工艺中对分辨率要求较高的i线层,已经广泛商用于国内集成电路制造业企业。
C7600 | R:0.30μm,Thickness range:7000A-12000A | 0.3um process |
C7500 | R:0.4μm,Thickness range:7000A-12000A | 0.4μm process |
C7510 | R:0.5μm,Thickness range:19000A-36000A | 0.5um process |
C7310 | R:0.45μm,Thickness:13000A-15000A | 0.5μm process |
C8315 | R:0.65μm,High heat resistance | 0.65μm process |
C8325 | R:0.9μm,Thickness:14000A-23000A | 0.9μm process |
C8350 | R:1.2μm,Thickness:20000A-35000A | Metal/Passivation |
C5315 | R:0.65μm,Thickness:10000A-17000A | 0.65μm process |
EP3200A | R:1.0μm,Thickness:20000-35000A | LED positive resist |