紫外宽谱光刻胶C7600C8315

KMP E3100系列光刻胶是专为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶，其采用酚醛树脂体系，与正胶工艺相容（可用正胶显影液进行显影）。E3100系列具有多个型号，膜厚范围为1.0-4.5um，可以满足不同工艺对倒梯角的需求，此外具有分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点，广泛用于IC/LED芯片制造过程中的Lift Off工艺。

KMP C7500系列光刻胶是高分辨I线光刻胶，其采用了特的树脂结构及具有高分辨性能的感光剂，在0.75um膜厚下可以实现0.35um的分辨率。该系列光刻胶具有不同的粘度，其膜厚范围为0.5-2.0um，同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点，适用于集成电路制造工艺中对分辨率要求较高的i线层，已经广泛商用于国内集成电路制造业企业。