NCV78723MW2R2G，LED驱动器安森美原装现货商

MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FDMF5076
FDMF5085
FDN86246
FDS8958A
FDMC7680
FDS6912A
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FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 （DPDT） 开关，针对在两个高速 （480Mbps） 源或高速和全速 （12Mbps） 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求，并具有极低的导通电容 （C上）为5.5pF。该器件的宽带宽（720MHz）超过了通过三次谐波所需的带宽，从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路，用于 V抄送电源断电（V抄送=0），允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低，即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 （V抄送).此功能对于超便携应用（如手机）特别有价值，允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV5500DT50RKG
NCV78L12ABDR2G
NCV8664CST50T3G
NGTB40N135IHRWG
NCV78763MW4AR2G
NCV78723MW2R2G
NCV78702MW0AR2G
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NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压（降压）和升压（升压）以及电压反相应用，只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV3063MNTXG
SBAS16XV2T1G
MC14007UBDR2G
MC74HC86ADTR2G
NCP59748MN1ADJTBG
NCV8154MW330180TBG
NCP1608BDR2G
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NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NSI50350AST3G
NCV7710DQR2G
NLV74HC14ADTR2G
NLV74HC151ADR2G
NCV8460ADR2G
NL17SZ125XV5T2G
74VHC132MTCX
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NCV7356D1R2G/NCV7356D2R2G简述：
NCV7356 是一款用于单线数据链路的物理层器件，能够使用多种具碰撞分解的载波感测多重存取 (CSMA/CR) 协议运行，如博世控制器区域网络 (CAN) 2.0 版。此串行数据链路网络适用于不需要高速数据的应用，低速数据可在物理介质部件和微处理器和/或使用该网络的逻辑器件中实现成本降低。该网络应该能够以正常数据速率模式或高速数据下载模式运行，适用于组装生产线和服务数据传输运行。高速模式仅在总线连接板外服务节点时运行。此节点应提供实现更高速运行的临时总线电子负载。此类临时负载在不执行下载运行时应消除。正常通信的典型比特率为 33 kbit/s，对于上述高速传输，推荐的典型比特率为 83 kbit/s。NCV7356 是根据单线 CAN 物理层规范 GMW3089 V2.3 设计的，支持很多附加功能，如欠压锁定、故障阻断输入信号超时、总线振铃时的输出间隔时间，以及极低睡眠模式电流。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
74ACT14MTC
NCP81220MNTXG
NCP81239MNTXG
NCP81269MNTXG
NCP81286MNTXG
NCP81303MNTXG
NCP81305MNTXG
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ON/安森美全系列产品优势供货，提供产品有：
无线连接
低功耗蓝牙
分立器件和功率模块
MOSFET系列
电源模块
碳化硅（SiC）
所有其他
电源管理
信号调理与控制
传感器
电机控制
定制和特殊替代产品供应商
接口
时序、逻辑和存储器
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
RHRG30120快恢复管
RHRP3060快恢复管
LV8731V-TLM-H电机驱动芯片
MBRS140T3G肖特基二极管
MC33035DWR2G电机驱动芯片
LC709204FXE-01TBG电池管理
FQP4N90C场效应管(MOSFET)
LM2596DSADJR4G，DC-DC电源芯片
HCPL2631SD光耦
SG3525ADWR2G，PWM控制器
LV8729V-TLM-H电机驱动芯片
RHRG75120超快恢复管
MC7805CDTRKG线性稳压器(LDO)
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