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直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。江南电力光伏科技有限，引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种，具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，TD-800型软轴提拉型单晶炉，是根据用户实际需求研发的新产品。是在流动惰性气体环境中，以石墨电阻加热器，将硅半导体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。它可以生产大规模太阳能电池、集成电路所需要的硅单晶。单晶炉主机系统包括：底座立柱、坩埚驱动装置、主炉室、翻板阀室，副炉室，籽晶提升与旋转机构、液压驱动装置、真空系统，充气系统及水冷系统。炉室结构为顶升式，主炉室和副炉室开启时由液压传动装置实现上移。炉室和副炉室之间，设有浮动式翻板阀室，可在现场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。

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排气筒与排气口相通。上盘的几个圆孔是除尘区域和排气区域通道。含尘气流未从上盘12 个圆孔排出去之前，实际的气流运动是很复杂的。除切向和轴向运动外还有径向运动。这样含尘气流会反复经过金属网(支撑内、外层金属网的金属杆相互错列，很明显能够增加气流穿过金属网的次数)。前文已详细论过除尘机理,很容易看出惯性碰撞、接触阻留、筛滤作用、扩散在这时将成为除尘的主要作用力。尘粒与气流分离界面是内、外两层金属网(包括上盘在内)。